本發(fā)明屬于半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種光敏薄膜晶體管及其低溫制備方法。本發(fā)明光敏薄膜晶體管采用
鈣鈦礦量子點(diǎn)作為光敏材料,通過(guò)改變鈣鈦礦量子點(diǎn)中鹵族元素的比例,可以使器件對(duì)不同波長(zhǎng)的光產(chǎn)生響應(yīng);同時(shí),該光敏薄膜晶體管所制備方法含括:原子層沉積制備Al
2O
3柵介質(zhì),磁控濺射生長(zhǎng)非晶銦鎵鋅氧化物(a?IGZO)溝道層,旋涂法制備鈣鈦礦量子點(diǎn),電子束蒸發(fā)制備源漏電極;所有工藝長(zhǎng)溫度均不超過(guò)40℃,且器件制備過(guò)程中無(wú)需進(jìn)行熱處理,即可得到高性能光敏薄膜晶體管。本發(fā)明可應(yīng)用于柔性電子和光電探測(cè)等領(lǐng)域。
聲明:
“光敏薄膜晶體管及其制備方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專(zhuān)利(論文)的發(fā)明人(作者)