本發(fā)明公開了基于甲胺鉛溴單晶的同質(zhì)結(jié)光電二極管和三極管及其制備方法,是通過摻雜BiBr
3使MAPbBr
3單晶成為n型半導體,而未摻雜的MAPbBr
3單晶為弱p型半導體,由n型和p型MAPbBr
3單晶構(gòu)成同質(zhì)結(jié),進而構(gòu)建p?n同質(zhì)結(jié)光電二極管和n?p?n同質(zhì)結(jié)光電三極管。本發(fā)明的探測器制備過程簡單、器件性能良好,為雜化
鈣鈦礦單晶材料在光電探測器中的應用開拓了新的前景。
聲明:
“基于甲胺鉛溴單晶的同質(zhì)結(jié)光電二極管和三極管及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)