本發(fā)明涉及一種硫化銻微納米管的制備方法,屬于光電材料制備技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明將固體硫源放置在加熱設(shè)備的低溫加熱區(qū),將礦源銻放置在加熱設(shè)備的高溫硫化反應(yīng)區(qū),采用保護氣體進行洗氣,然后加熱至低溫加熱區(qū)的溫度為150~300℃,高溫硫化反應(yīng)區(qū)溫度為350~500℃,低溫加熱區(qū)的固體硫源釋放氣態(tài)硫與高溫硫化反應(yīng)區(qū)的礦源銻反應(yīng)生成硫化銻,硫化銻在基底上冷凝即得硫化銻微納米管。本發(fā)明工藝簡單,可大規(guī)模制備長度為100nm~20mm的大尺寸硫化銻微納米管,有利于實現(xiàn)光生載流子在徑向上的傳輸與分離,相較于普通球型或無規(guī)則硫化銻材料具有更大的比表面積,適用于光電探測及光催化領(lǐng)域。
聲明:
“硫化銻微納米管的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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