本發(fā)明公開了一種熱管理用SiC/石墨膜層狀
復(fù)合材料及其制備方法,該復(fù)合材料按體積分?jǐn)?shù)計(jì),由10~50%的SiC增強(qiáng)相和50~90%的石墨膜基質(zhì)相組成,石墨膜和SiC在復(fù)合材料中逐層交替分布,并呈現(xiàn)完美取向排列;其制備方法由石墨膜表面包覆SiC陶瓷層、表面包覆SiC陶瓷層石墨膜的逐層堆疊及預(yù)壓成型、預(yù)成型試樣的真空熱壓燒結(jié)及燒結(jié)后樣品的后續(xù)處理四個(gè)步驟完成。該制備方法有效解決了傳統(tǒng)SiC/石墨復(fù)合材料燒結(jié)致密化困難及SiC與石墨之間的界面結(jié)合強(qiáng)度低等問(wèn)題。采用本發(fā)明方法制備的SiC/石墨膜層狀復(fù)合材料,不僅平行層狀方向具有很高的熱導(dǎo)率,而且垂直層狀方向能獲得與封裝基板相匹配的熱膨脹系數(shù),同時(shí)具有低的密度及高的強(qiáng)度,是一種非常有應(yīng)用前景的新型熱管理材料。
聲明:
“熱管理用SiC/石墨膜層狀復(fù)合材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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