本發(fā)明涉及一種聚噻吩
復(fù)合材料,它包括磺化處理的絕緣聚合物膜和在磺化處理的聚合物膜的一個(gè)或兩個(gè)面上層疊的聚噻吩膜,該聚噻吩復(fù)合材料是由噻吩和/或噻吩衍生物在磺化處理的絕緣聚合物膜的一個(gè)或兩個(gè)面上聚合所得到的。聚合單體優(yōu)選噻吩和3-甲基噻吩;絕緣聚合物膜優(yōu)選聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚氨基雙馬來酰亞胺或聚苯乙烯。此外,本發(fā)明還提供一種高導(dǎo)電率的聚噻吩復(fù)合材料的制備方法,通過聚噻吩與基體的復(fù)合,使得該復(fù)合材料不僅具有優(yōu)良的導(dǎo)電性同時(shí)還具有通用高分子的柔韌性。該復(fù)合材料的導(dǎo)電率可達(dá)10-3S/cm量級,其可以應(yīng)用于電磁波屏蔽、防靜電和有機(jī)電子器件等領(lǐng)域。
聲明:
“聚噻吩復(fù)合材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)