本發(fā)明涉及電磁屏蔽材料技術(shù)領域,尤其涉及一種MXene基
復合材料及其制備方法和應用。本發(fā)明提供的MXene基復合材料,包括MXene和嵌于所述MXene層狀結(jié)構(gòu)中的納米電磁屏蔽材料;所述納米電磁屏蔽材料包括納米
半導體材料或納米鐵磁材料。本發(fā)明在所述MXene的層狀結(jié)構(gòu)中嵌入半導體材料或鐵磁材料,所述半導體材料和鐵磁材料對MXene的反射損耗和多重反射損耗幾乎沒有影響;而半導體材料的加入可以平衡所述復合材料的電導率和介電常數(shù),所述鐵磁材料的加入在幾乎不影響其電導的前提下,可以平衡復合材料的磁導率和電介電常數(shù),使所述復合材料的吸收損耗得到有效的提高。
聲明:
“MXene基復合材料及其制備方法和應用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)