本發(fā)明公開了一種Pt/硅納米陣列結(jié)構(gòu)復(fù)合材料及其制備方法。Pt/硅納米陣列復(fù)合材料的Pt為簇狀，硅納米陣列為規(guī)則孔狀或線狀，Pt位于所述硅納米陣列頂端。Pt/硅納米陣列結(jié)構(gòu)復(fù)合材料的制備方法是通過調(diào)整電化學(xué)參數(shù)控制材料的微觀形貌結(jié)構(gòu)，本發(fā)明提供一種多電位階躍法沉積金屬，加快了光生載流子的轉(zhuǎn)移速率，減少缺陷的形成，提高了光電轉(zhuǎn)化效率，增強了太陽能的利用率。