本發(fā)明提供一種基于光敏
復(fù)合材料的三維硅基轉(zhuǎn)接結(jié)構(gòu)加工方法及裝置,涉及晶圓級(jí)三維異質(zhì)集成封裝工藝技術(shù)領(lǐng)域,包括:步驟S1:在硅基襯底上制作正面保護(hù)膜和背面保護(hù)膜;步驟S2:在硅基襯底的背面制作波導(dǎo)金屬側(cè)壁,形成TSV盲槽;步驟S3:在硅基襯底的正面制作轉(zhuǎn)接結(jié)構(gòu)的背腔結(jié)構(gòu),并填充光敏復(fù)合材料;步驟S4:在背腔結(jié)構(gòu)上方制備介質(zhì)掩膜層,并在頂層介質(zhì)層上方制作頂層金屬圖案;步驟S5:利用光刻掩膜與干法刻蝕進(jìn)行體硅刻蝕并劃片,得到完整轉(zhuǎn)接結(jié)構(gòu)。本發(fā)明能夠極大縮減射頻系統(tǒng)的整體尺寸,在實(shí)現(xiàn)小型化的同時(shí)提供了波導(dǎo)輸出接口,提升互連自由度與靈活度。
聲明:
“基于光敏復(fù)合材料的三維硅基轉(zhuǎn)接結(jié)構(gòu)加工方法及裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)