本發(fā)明涉及一種提高碳/碳
復(fù)合材料與鋰鋁硅玻璃陶瓷連接性能的方法,以聚合物高溫裂解法原位生長SiC納米線,工藝簡單、生成產(chǎn)量可控,可使MAS中間層在熱壓燒結(jié)過程中充分滲入納米線多孔層以形成致密的納米復(fù)合界面層,利用原位生長納米線的增韌增強(qiáng)作用解決了SiC與MAS弱結(jié)合的問題,從而可顯著提高C/C?LAS接頭的連接性能,在本發(fā)明指導(dǎo)下,接頭的平均剪切強(qiáng)度由背景技術(shù)中的24.9MPa提高到38.2Pa。本發(fā)明通過聚合物高溫裂解的方法在SiC涂層表面原位生長SiC納米線,該方法工藝穩(wěn)定,并且可實現(xiàn)對納米線產(chǎn)量的控制,使熔融玻璃在連接溫度下向納米線多孔層充分滲入,形成致密的連接界面,從而提高接頭的連接性能。
聲明:
“提高碳/碳復(fù)合材料與鋰鋁硅玻璃陶瓷連接性能的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)