本發(fā)明公開了一種非晶SiO2包覆SiC同軸納米電纜的合成方法，(一)取一定量的原料Si粉和SiO2粉進行球磨處理：(二)然后取經球磨處理并烘干的Si粉和SiO2粉，按Si∶SiO2＝1∶1.2～1.5放入瑪瑙研缽中研磨，使其充分混合；(三)對C/C復合材料基片進行加催化劑處理，并將經研磨混合后的Si粉和SiO2粉混合粉體、C/C復合材料基片及碳布放入石墨反應室中；(四)再將此石墨反應室放入石墨加熱體的立式真空爐中；(五)將爐溫升至900～1000℃，抽真空使爐內壓力為400torr左右；(六)再將爐溫升至1200～1300℃時，通C3H6氣體5～10分鐘后，再保溫10～20分鐘，關電源自然冷卻至室溫。由于采用了氣相化學反應法，所以合成工藝簡單，合成所需溫度較低，并有利于規(guī)模化生產。