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薄膜及其制備方法與量子點(diǎn)發(fā)光二極管

812   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 16:52:17
本發(fā)明公開一種復(fù)合材料及其制備方法、量子點(diǎn)發(fā)光二極管及其制備方法,其中,所述復(fù)合材料包括氧化鈦以及配位結(jié)合在所述氧化鈦表面的乙酰丙酮釔。本發(fā)明通過選用具有共軛性能的乙酰丙酮釔對氧化鈦進(jìn)行表面改性,使乙酰丙酮釔配位結(jié)合在所述氧化鈦表面制得所述電子遷移率高的復(fù)合材料;當(dāng)采用所述復(fù)合材料作為量子點(diǎn)發(fā)光二極管的電子傳輸層時,不僅可提高電子傳輸層的電子傳輸效率,還能提高電子注入量子點(diǎn)發(fā)光層的能力,促進(jìn)電子?空穴有效地復(fù)合,降低激子積累對量子點(diǎn)發(fā)光二極管的性能影響,從而提升量子點(diǎn)發(fā)光二極管的發(fā)光效率。
聲明:
“薄膜及其制備方法與量子點(diǎn)發(fā)光二極管” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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