本發(fā)明涉及一種利用類金剛石薄膜(DLC)提高
碳納米管(CNT)場發(fā)射性能的方法。所述方法在CNT表面包覆DLC,從而提高CNT的場發(fā)射性能。DLC薄膜具有負(fù)的表面親和勢特性,可以改變CNT的表面性質(zhì),降低CNT場致發(fā)射的開啟場強(qiáng),提高CNT的場發(fā)射電流密度;DLC薄膜含有碳原子sp3雜化結(jié)構(gòu)成分,具有較好的機(jī)械性能,在一定程度上能夠?qū)Π腃NT起到保護(hù)作用,提高CNT場發(fā)射性能的穩(wěn)定性;該方法可以生長整齊排列的直立CNT和DLC
復(fù)合材料的陣列結(jié)構(gòu),并且可以通過調(diào)控生長參數(shù)獲得理想的CNT和DLC復(fù)合材料,便于實(shí)際應(yīng)用。
聲明:
“利用類金剛石薄膜提高碳納米管場發(fā)射性能的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)