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吸收環(huán)境中太赫茲波的材料的制備方法

1023   編輯:管理員   來(lái)源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 17:13:38
本發(fā)明提供一種吸收環(huán)境中太赫茲波的材料的制備方法,主要先制備高純六方氮化硼粉料,再熱壓合成六方氮化硼靶材,采用射頻磁控濺射法沉積表面平整度高、結(jié)晶性良好、以層狀模式生長(zhǎng)的連續(xù)大面積的高純六方氮化硼薄膜,然后再采用微波等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)裝置,在高純六方氮化硼薄膜沉積預(yù)定厚度的致密石墨烯薄膜,最終獲得一種石墨烯和六方氮化硼薄膜層間緊密結(jié)合的高純六方氮化硼薄膜/石墨烯復(fù)合材料。相比其他制備方法,本發(fā)明制備的高純六方氮化硼薄膜/石墨烯復(fù)合材料具有優(yōu)異的膜層微觀形貌和更高的吸收太赫茲波效率。此外,采用射頻磁控濺射法沉積高純六方氮化硼薄膜,其操作簡(jiǎn)單、可大量制備、沉積膜層的可控性強(qiáng),降低了材料成本。
聲明:
“吸收環(huán)境中太赫茲波的材料的制備方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專(zhuān)利(論文)的發(fā)明人(作者)
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