本發(fā)明公開(kāi)了一種具有
鈣鈦礦復(fù)合柵結(jié)構(gòu)的GaN HEMT光電探測(cè)器及其制備方法,其中,GaN HEMT光電探測(cè)器包括襯底、位于襯底上的GaN緩沖層、位于GaN緩沖層上的AlGaN勢(shì)壘層、位于AlGaN勢(shì)壘層表面兩側(cè)的源漏電極,以及位于源漏電極之間的復(fù)合柵結(jié)構(gòu),其中,復(fù)合柵結(jié)構(gòu)包括位于AlGaN勢(shì)壘層上的鈣鈦礦以及位于鈣鈦礦層上的TCO層。本發(fā)明將鈣鈦礦圖形化后,與透明導(dǎo)電氧化物組成復(fù)合柵結(jié)構(gòu),并將其用在氮化鎵HEMT光電探測(cè)器上,以使鈣鈦礦材料優(yōu)異的光電性能與HEMT器件的高遷移率、高開(kāi)關(guān)比特性相結(jié)合,從而獲得更好的光電響應(yīng),擴(kuò)大了器件應(yīng)用范圍。
聲明:
“具有鈣鈦礦復(fù)合柵結(jié)構(gòu)的GaN HEMT光電探測(cè)器及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)