本發(fā)明涉及一種大面積
鈣鈦礦微晶薄膜的制備方法及X射線探測器。所述方法為:1)首先采用刮涂法將多晶鈣鈦礦前驅體溶液涂覆在空穴傳輸材料修飾的導電基底上,退火處理得到納米厚度的大面積鈣鈦礦多晶薄膜;2)結合反溫度結晶法,將步驟1)得到的鈣鈦礦多晶薄膜作為生長模板引入到鈣鈦礦飽和生長溶液中誘導大面積微晶薄膜的生長,多晶薄膜的尺寸決定了微晶薄膜的尺寸;3)采用等靜壓熱壓工藝對微晶薄膜表面進行平整化處理。能夠克服傳統(tǒng)體塊鈣鈦礦單晶縱向厚度過大、橫向尺寸受限,以及多晶鈣鈦礦薄膜晶粒尺寸小、缺陷密度大等問題,顯著提升了器件對X射線探測的靈敏度。
聲明:
“大面積鈣鈦礦微晶薄膜的制備方法及X射線探測器” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)