本發(fā)明公開了一種Y波導(dǎo)集成光學(xué)器件鈮酸鋰芯片的制備方法，主要包括在襯底片上制備SiO2波導(dǎo)掩模、質(zhì)子交換、退火、電極剝離、電極電鍍、芯片切割和端面磨拋步驟。本發(fā)明采用純苯甲酸作為質(zhì)子交換源，質(zhì)子交換溫度150℃～170℃，時間170－210分鐘。為防止波形傾斜，在質(zhì)子交換后，先腐蝕掉SiO2波導(dǎo)掩模，對晶片進行清洗，在鈮酸鋰晶片上重新生長一層SiO2隔離層，再進行退火。本發(fā)明采用純苯甲酸作為質(zhì)子源，提高了工藝過程的一致性，降低了對實驗室的環(huán)境污染；通過腐蝕掉SiO2波導(dǎo)掩模，重新生長波導(dǎo)隔離層，確保器件波形不產(chǎn)生傾斜畸變。