本發(fā)明公開了一種InP基激光器與薄膜鈮酸鋰光波導(dǎo)異質(zhì)集成結(jié)構(gòu),屬于光電集成
芯片領(lǐng)域;該結(jié)構(gòu)主要包括InP基激光器外延層薄膜、耦合層、薄膜鈮酸鋰光波導(dǎo)和襯底。InP基激光器外延層通過(guò)耦合層集成于薄膜鈮酸鋰光波導(dǎo)正上方,激光器輸出光通過(guò)倏逝波耦合機(jī)制耦合進(jìn)入其正下方的鈮酸鋰光波導(dǎo)中傳輸,滿足InP基激光器芯片與薄膜鈮酸鋰光芯片的低損耗異質(zhì)集成需求。
聲明:
“InP基激光器與薄膜鈮酸鋰光波導(dǎo)異質(zhì)集成結(jié)構(gòu)” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)