本發(fā)明提供一種對溫度、時(shí)間等處理?xiàng)l件的管理容易,且體積電阻率的面內(nèi)分布極少的鈮酸鋰(LN)基板及其制造方法。上述制造方法是使用通過切克勞斯基法培育出的鈮酸鋰單晶來制造LN基板的方法,其特征在于,將單晶中的Fe濃度為50質(zhì)量ppm以上且1000質(zhì)量ppm以下并被加工成基板狀態(tài)的LN單晶埋入Al粉末或者Al和Al2O3的混合粉末中,在350℃以上且小于450℃的溫度進(jìn)行熱處理,從而制造出體積電阻率被控制在大于1×1010Ω·cm且2×1012Ω·cm以下的范圍的鈮酸鋰單晶基板。
聲明:
“鈮酸鋰單晶基板及其制造方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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