一種包括陽極和陰極的輻射源,所述陽極和陰極被配置和排列為在所述陽極和陰極之間的物質(zhì)中產(chǎn)生放電形成等離子體從而產(chǎn)生電磁輻射。所述流體包括氙、銦、鋰、錫或任何適合的材料。輻射源單元設(shè)置為具有低感應(yīng)系數(shù),并運行于等離子體最小的狀態(tài)來提高轉(zhuǎn)換效率。在輻射源體積和芯捻內(nèi)設(shè)有流體循環(huán)系統(tǒng),應(yīng)用流體的氣態(tài)和液態(tài)轉(zhuǎn)換來提高熱耗散。輻射源單元設(shè)置得產(chǎn)生最小量的污染物,并在不干擾出射輻射的情況下捕獲污染物來防止污染物進入光刻投影裝置。
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“輻射源、光刻設(shè)備和器件制造方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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