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用于檢測Hg2+的薄膜光尋址電位傳感器及其制備方法

694   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 02:40:42
本發(fā)明公開了一種用于檢測Hg2+的薄膜光尋址電位傳感器及其制備方法。該傳感器是基于光尋址電位傳感器(LAPS),通過激光脈沖沉積(PLD)技術(shù)在其表面上制備敏感薄膜。首先合成了敏感材料,作為脈沖激光沉積的靶材,其次在LAPS上通過磁控濺射技術(shù)制備了固定化的金屬層,然后通過激光脈沖沉積技術(shù)和設(shè)備在此基礎(chǔ)上進(jìn)行薄膜的制備。該薄膜傳感器對溶液中的Hg2+敏感,能夠檢測出Hg2+的含量。本發(fā)明可在江河湖海、生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域(如血液、體液)、工業(yè)廢水、中藥、蔬菜、水果、茶葉等領(lǐng)域中對Hg2+進(jìn)行定性和定量檢測。
聲明:
“用于檢測Hg2+的薄膜光尋址電位傳感器及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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