本實用新型提出了一種半導體激光器芯片，包括：自下而上依次為N面散熱結構、N面電極、N區(qū)外延層、有源區(qū)、P區(qū)外延層、P面電極和P面散熱結構，所述N面電極通過生長襯底的轉換方式形成。本實用新型的激光器芯片中的生長襯底能夠重復利用，生長襯底的As不會帶入激光器制備的后續(xù)工藝流程，降低工業(yè)廢水的污染治理成本；避免了可能導致機械損傷的研磨過程，進而提高了半導體激光器的質量可靠性，使得其具有明顯的技術先進性和良好的經濟效益。