一種有機硅納米防護涂層的制備方法,屬于等離子體技術(shù)領(lǐng)域,該方法中,將反應(yīng)腔室內(nèi)的真空度抽到10~200毫托,并通入惰性氣體,開啟運動機構(gòu),使基材產(chǎn)生運動,通入單體蒸汽到反應(yīng)腔室內(nèi),進行化學(xué)氣相沉積,在基材表面化學(xué)氣相沉積制備有機硅納米涂層;單體蒸汽成分為:至少一種含雙鍵、Si?Cl、Si?O?C、Si?N?Si、Si?O?Si結(jié)構(gòu)或環(huán)狀結(jié)構(gòu)的有機硅單體和至少一種多官能度不飽和烴及烴類衍生物的混合物。本發(fā)明將傳統(tǒng)的碳氫氧有機化合物單體替換為有機硅單體,每個硅原子至少提供1?4個活性位點,具有較高的活性,等離子沉積方法涂層厚度從納米到微米都可以實現(xiàn)精確可控,且不需要使用溶劑,同時也避免了液相有機硅涂層方法產(chǎn)生廢水、廢液、廢氣等不足。
聲明:
“有機硅納米防護涂層的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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