一種制備SiC柔性場發(fā)射陰極材料的方法,其包括以下具體步驟:(1)有機前驅(qū)體聚硅氮烷于260℃保溫30min熱交聯(lián)固化,然后球磨粉碎:(2)選擇碳布為柔性襯底,在0.05mol/LCo(NO3)2乙醇溶液中浸漬并超聲處理10s,然后自然晾干備用;(3)將粉碎得到的粉末和浸漬處理的碳布襯底分別置于
石墨坩堝底部和頂端:(4)將石墨坩堝置于氣氛燒結(jié)爐中,在氮氬混合氣氛保護下加熱至1500~1550℃進行高溫?zé)峤猓?5)隨爐冷卻至室溫,實現(xiàn)以碳布為襯底的柔性SiC準定向納米陣列的制備:(6)將SiC準定向納米陣列結(jié)構(gòu)用作場發(fā)射陰極進行場發(fā)射性能檢測和分析。所制備的SiC場發(fā)射陰極材料具有良好的柔性和優(yōu)異的場發(fā)射性能,有望應(yīng)用在柔性顯示和小型x射線管等領(lǐng)域。
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“SiC柔性場發(fā)射陰極材料” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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