本發(fā)明屬于新型偏振光學(xué)器件領(lǐng)域,更具體地,涉及一種基于二維硒化亞鍺的偏振相位調(diào)制器件及其設(shè)計(jì)方法。其設(shè)計(jì)方法包括以下步驟:本發(fā)明首先制作若干不同厚度的二維GeSe并將其附著于襯底上,獲取這些二維GeSe的平面內(nèi)光學(xué)常數(shù),結(jié)合相位延遲量計(jì)算公式,計(jì)算得到不同厚度對(duì)應(yīng)的相位延遲量,根據(jù)目標(biāo)偏振相位調(diào)制器件對(duì)相位延遲量要求,確定該目標(biāo)偏振相位調(diào)制器件中二維GeSe的厚度,最后通過實(shí)驗(yàn)測(cè)量和計(jì)算擬合的比較來檢驗(yàn)制作得到的偏振相位調(diào)制器件是否符合要求。本方法只需簡單設(shè)計(jì)便能實(shí)現(xiàn)偏振相位調(diào)制器件的厚度納米化,非常具有應(yīng)用前景。
聲明:
“一種基于二維硒化亞鍺的偏振相位調(diào)制器件及其設(shè)計(jì)方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)