本發(fā)明提供一種銀鉭
復(fù)合材料構(gòu)建的有序多孔陣列及其制備方法,采用磁控濺射沉積銀、鉭復(fù)合薄膜,將清洗干凈的單晶硅片真空下并沉積鉻膜;然后控制電流強(qiáng)度,分別精確調(diào)控銀、鉭元素沉積速率,維持腔室反應(yīng)壓力,持續(xù)濺射沉積,鉭元素封堵銀在沉積過(guò)程中形成的間隙,在適當(dāng)?shù)你y、鉭元素沉積速率下形成銀鉭復(fù)合材料構(gòu)建的有序多孔陣列。隨著鉭沉積速率的增加,薄膜表面孔狀陣列會(huì)被鉭元素大量封堵,進(jìn)一步形成更為光滑的薄膜表面形貌。本發(fā)明所制備的銀鉭復(fù)合材料有序多孔陣列制備過(guò)程簡(jiǎn)單,比表面積大,便于大面積生長(zhǎng),成本低,薄膜表面無(wú)有機(jī)化合物污染,能廣泛應(yīng)用于SERS傳感、金屬催化、納米探針、光電器件、
太陽(yáng)能電池,吸附材料等領(lǐng)域。
聲明:
“一種銀鉭復(fù)合材料構(gòu)建的有序多孔陣列及其制備方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專(zhuān)利(論文)的發(fā)明人(作者)