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原位分子印跡修飾電極對多環(huán)芳烴的光電化學分析方法

1081   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 06:35:11
本發(fā)明涉及一種原位分子印跡修飾電極對多環(huán)芳烴的光電化學分析方法,所述方法包括基于分子印跡功能化的ZnONRs@TiO2NTs電極的制備方法,以及采用該修飾電極用于對多環(huán)芳烴(PAHs)的高選擇性、高靈敏的檢測方法。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明采用原位分子印跡ZnONRs作為選擇性識別元素,在TiO2NTs上獲得了單晶分子印跡型ZnONRs,具有良好的印跡效果,而且印跡分子PAHs本身具有共軛結(jié)構(gòu),有利于增強電極的光電性能。在紫外光的照射下,可以選擇性的檢測不同PAHs,對于萘和芘等PAHs檢測限達到10-9mol·L-1數(shù)量級,電極穩(wěn)定,且具有良好的重現(xiàn)性。
聲明:
“原位分子印跡修飾電極對多環(huán)芳烴的光電化學分析方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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