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光電化學傳感器及其制備方法和在檢測四環(huán)素中的應用

1147 編輯：管理員來源：中冶有色技術網(wǎng)

2023-03-19 06:42:48

本發(fā)明涉及光電化學傳感技術領域，特別涉及一種光電化學傳感器及其制備方法和在檢測四環(huán)素中的應用。本發(fā)明提供了一種光電化學傳感器，包括FTO電極和修飾在FTO電極導電面的ZnInS@ZIF?8復合修飾層；ZnInS@ZIF?8復合修飾層包括ZnInS納米片陣列和生長在ZnInS納米片陣列表面的ZIF?8納米膜。ZIF?8膜可吸附TC，使其在膜表面富集，ZnInS納米片陣列的二維結構能夠改善光電子的傳導路徑，使ZnInS@ZIF?8結構捕獲痕量TC時產(chǎn)生的微弱光能信號變化可以快速穩(wěn)定地轉變?yōu)槟鼙粰z測到的電能信號，降低了TC的檢出限和響應時間，提高了光電化學傳感器的靈敏度。

聲明：

“光電化學傳感器及其制備方法和在檢測四環(huán)素中的應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)