一種化學(xué)機(jī)械研磨方法及化學(xué)機(jī)械研磨裝置,可將基板裝載于化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)裝置上,化學(xué)機(jī)械研磨裝置包括研磨墊及支撐基板的晶圓載體。晶圓載體包括背側(cè)板、晶圓載體框架以及至少一光學(xué)垂直位移量測(cè)單元。光學(xué)垂直位移量測(cè)單元包括相應(yīng)激光源及相應(yīng)像素化影像感測(cè)器。使用全反射幾何形狀使激光束反射離開(kāi)背側(cè)板的頂面。在CMP制程期間可在至少一反射點(diǎn)下方的每一位置量測(cè)基板的研磨部分的研磨速率或研磨厚度。
聲明:
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