本公開提供了一種基于多重自由網格的化學機械研磨工藝缺陷處理方法,包括:步驟A.版圖讀入;步驟B.CMP模擬,初步確定CMP局部缺陷產生條件;步驟C.根據步驟B進行CMP敏感區(qū)域的提取,并將多邊形敏感區(qū)域分割;步驟D.在步驟C的矩形集的一個矩形敏感區(qū)域外,建立一級網格;步驟E.在步驟C的矩形集的一個矩形敏感區(qū)域和步驟D建立的一級網格間,建立二級網格;步驟F.等效參數提取。本公開能夠準確地檢測并處理CMP工藝中的局部不平坦性問題,能夠更加準確的檢測CMP工藝中的局部缺陷問題,并對檢測到的缺陷進行處理,有效規(guī)避
芯片表面的局部區(qū)域的缺陷。
聲明:
“基于多重自由網格的化學機械研磨工藝缺陷處理方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)