本發(fā)明提供了一種基于FeS2/C/MQDs/GCE修飾電極的分子印跡
電化學(xué)傳感器及其制備方法,F(xiàn)eS2/C/MQDs/GCE修飾電極的制備方法,依次包括以下步驟:將MQDs和FeS2/C分別分散在殼聚糖?乙酸溶液中;將MQDs溶液滴加到GCE上,干燥,得MQDs/GCE;將FeS2/C溶液滴加到MQDs/GCE上,干燥,得FeS2/C/MQDs/GCE修飾電極。本發(fā)明還包括采用上述方法制得的修飾電極以及基于該修飾電極的分子印跡電化學(xué)傳感器及其制備方法和應(yīng)用。本發(fā)明具有良好的重現(xiàn)性、可接受的穩(wěn)定性和高選擇性,同時(shí),有效的實(shí)現(xiàn)了雙嘧達(dá)莫和硫酸奎寧的同時(shí)測(cè)定,且解決了兩物質(zhì)檢測(cè)方式復(fù)雜昂貴等問題。
聲明:
“基于FeS2/C/MQDs/GCE修飾電極的分子印跡電化學(xué)傳感器及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)