本發(fā)明提供一種
電化學(xué)拋光金屬互連晶圓結(jié)構(gòu)的方法,包括:步驟一,電化學(xué)拋光晶圓產(chǎn)品中的部分晶圓,獲取拋光一合格晶圓所需的平均時間T0,步驟二,測量晶圓產(chǎn)品中任一晶圓O的厚度前置D0,并與前值目標(biāo)值D比對;步驟三,對晶圓O進(jìn)行電化學(xué)拋光;步驟四,清洗晶圓O;步驟五,測量晶圓O的厚度后值D1;步驟六,判斷晶圓O的厚度后值D1是否滿足后值目標(biāo)值D’的要求,將晶圓O返工或送入后續(xù)CMP模塊;其中,拋光晶圓O所需的時間T=T0+[(D0-D)/(K*RR)]*60,RR為拋光速率,K為常系數(shù),其中拋光速率RR隨著拋光晶圓產(chǎn)品的批次數(shù)的增加而變緩,常系數(shù)K由晶圓產(chǎn)品的形貌決定。本發(fā)明的方法易于實(shí)行且效果明顯,能夠大幅度提高拋光晶圓產(chǎn)品的良率。
聲明:
“電化學(xué)拋光金屬互連晶圓結(jié)構(gòu)的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)