本發(fā)明涉及一種赭曲霉毒素A光
電化學傳感器的制備方法及應用。該方法利用BiVO4/TiO2作為基底材料,其優(yōu)良的導電性和大的表面積能有效減小背景信號。采用直接滴加AgNO3和Na2S的方法,在BiVO4表面原位生成高光電轉(zhuǎn)換率的窄帶隙Ag2S光電活性材料,通過可見光波長的LED燈照射Ag2S,產(chǎn)生光電流信號。載體BiVO4/TiO2與Ag2S能帶匹配度良好,能進一步提高Ag2S的光電轉(zhuǎn)換信號,從而實現(xiàn)了赭曲霉毒素A的高靈敏測定。
聲明:
“赭曲霉毒素A光電化學傳感器的制備方法及應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)