本發(fā)明公開了一種化學機械研磨工藝建模的集成電路版圖結(jié)構(gòu),屬于集成電路制造工藝和版圖設(shè)計技術(shù)領(lǐng)域。所述版圖中包含多個長度和寬度大于100微米的矩形結(jié)構(gòu)模塊,模塊與模塊之間的距離為模塊間距,所述模塊間距大于100微米,模塊由金屬線和介質(zhì)層構(gòu)成,模塊中金屬線面積占模塊總面積的比例為金屬密度,所述模塊為不同金屬線寬的孤立線結(jié)構(gòu)模塊、不同金屬密度和金屬線寬的模塊、不同金屬線寬與密度組成的復合結(jié)構(gòu)模塊、或復合結(jié)構(gòu)模塊中不同模塊間距的結(jié)構(gòu)模塊。本發(fā)明能夠減少測試
芯片和實驗次數(shù),節(jié)省建模成本和時間。
聲明:
“化學機械研磨工藝建模的集成電路版圖結(jié)構(gòu)” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)