本發(fā)明公開了一種檢測晶圓表面氮化硅殘留的方法,屬于半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域。方法包括:步驟S1,采用第一類刻蝕方式對氮化硅薄膜層進行刻蝕,以露出氧化硅薄膜層;步驟S2,采用第二類刻蝕方式對氧化硅薄膜層進行刻蝕,以露出晶圓表面;步驟S3,將晶圓的表面呈現(xiàn)給檢測人員查看,以分辨晶圓的表面是否粘附有氮化硅的殘留物;上述步驟S2中,第二類刻蝕方式中采用的化學(xué)藥劑所刻蝕掉的氧化硅多于所刻蝕掉的氮化硅。上述技術(shù)方案的有益效果是:能夠提高氮化硅殘留檢測的準(zhǔn)確率,并且降低檢測成本,減少檢測耗時。
聲明:
“檢測晶圓表面氮化硅殘留的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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