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基于多次稱重獲得單晶硅片切割損傷層厚度的測(cè)試方法

1023   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 07:24:14
本發(fā)明公開了一種基于多次稱重獲得單晶硅片切割損傷層厚度的測(cè)試方法,它包括以下步驟:S1、對(duì)未經(jīng)過腐蝕的硅片進(jìn)行稱重,記錄硅片的初始重量m0;S2、將硅片完全浸沒在腐蝕液中,腐蝕液溫度控制在75~85℃;S3、每隔固定時(shí)間,將硅片取出擦拭稱重,記錄硅片重量mi,mi表示第i次稱重重量;S4、繪制硅片重量與時(shí)間的變化圖;S5、根據(jù)硅片重量變化趨勢(shì)判斷出硅片重量變化趨勢(shì)發(fā)生變化點(diǎn),記錄該變化點(diǎn)對(duì)應(yīng)的硅片重量mf;S6、計(jì)算損傷層厚度μ。本發(fā)明采用化學(xué)腐蝕方法定量分析硅片表面損傷層厚度,在太陽能電池制絨環(huán)節(jié)中,可有效去除單晶硅片表面的損傷層,同時(shí)減少制絨過程中硅料的損失。
聲明:
“基于多次稱重獲得單晶硅片切割損傷層厚度的測(cè)試方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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