本發(fā)明公開(kāi)了一種鉍?氧化錫深紫外光探測(cè)器及其制備方法。探測(cè)器的鉍摻雜氧化錫薄膜的化學(xué)式組成為BixSn1?xO2,化學(xué)式中的0.04≤x≤0.3,其中,薄膜中鉍的價(jià)態(tài)為Bi+3和Bi+5的比例為45?55%:45?55%,薄膜的厚度為80?200nm,其上置有電極;方法為先將鉍錫混合靶和襯底分別置于磁控濺射設(shè)備真空室內(nèi)的陰極上和樣品臺(tái)中,再使真空室處于氬?氧混合氣氛中,于450?700℃下濺射30?90min,得到覆于襯底上的鉍摻雜氧化錫薄膜,之后,先于其上安裝電極,再將安裝有電極的鉍摻雜氧化錫薄膜與襯底剝離,制得目的產(chǎn)物。它具有低暗電流下的窄紫外波段響應(yīng)的高量子效率和高探測(cè)率,極易于商業(yè)化地廣泛應(yīng)用于火焰報(bào)警、電暈檢測(cè)、日盲區(qū)預(yù)警等弱紫外光探測(cè)領(lǐng)域。
聲明:
“鉍?氧化錫深紫外光探測(cè)器及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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