本發(fā)明涉及基于砷化鎵基含磷化合物
半導(dǎo)體材料的紫外增強(qiáng)光電探測(cè)器及制作方法,其特征在于以半絕緣砷化鎵單晶材料作為探測(cè)器的襯底,在其上采用外延方法生長(zhǎng)特定的寬禁帶含磷化合物薄膜材料作為有源光吸收層和窗口層,以達(dá)到紫外增強(qiáng)光吸收效果并消除其對(duì)紅外光的響應(yīng),并采用合適的摻雜方式在其中構(gòu)成PN結(jié)。外延材料采用特定的選擇刻蝕工藝制作出臺(tái)面結(jié)構(gòu),經(jīng)鈍化保護(hù)后制作出接觸電極,并選用相應(yīng)的抗反射增透膜進(jìn)一步提高其短波響應(yīng)。此種光電探測(cè)器可應(yīng)用于火焰探測(cè)、紫外和可見光波段光度測(cè)量、尾焰跟蹤、生物及化學(xué)氣體檢測(cè)、紫外線防護(hù)等方面,并可與紅外波段的光電探測(cè)器進(jìn)行單片或混合集成構(gòu)成雙色探測(cè)器。
聲明:
“采用砷化鎵基含磷材料的紫外增強(qiáng)光電探測(cè)器及制作方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)