本發(fā)明彎曲平板波過敏感測器的制造方法是利用
電化學(xué)硅蝕刻停止工藝,蝕刻表面聲波元件的N型磊晶硅層達(dá)到3微米以內(nèi),并加入反射柵極且結(jié)合自我組裝單分子層以形成彎曲平板波過敏感測器。所述反射柵極可使波傳的能量損失降低,并使后續(xù)的元件測量與電路設(shè)計(jì)更加容易。本發(fā)明的彎曲平板波過敏感測器具有高準(zhǔn)確度、高靈敏度、低操作頻率、檢測時(shí)間短以及成本較低等優(yōu)點(diǎn)。
聲明:
“彎曲平板波過敏感測器及其制造方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)