本發(fā)明公開了一種單層MoS₂同質(zhì)結(jié)、光探測器及其制備方法、電子元件，該單層MoS₂同質(zhì)結(jié)包含：n型MoS₂和相鄰的p型摻雜MoS₂，二者構(gòu)成p?n同質(zhì)結(jié)；其中，該p型摻雜MoS₂是由單層MoS₂薄膜經(jīng)過選區(qū)p型離子摻雜得到的。在不引入新材料的前提下，利用簡單的化學(xué)摻雜方式構(gòu)造同質(zhì)p?n結(jié)，可以有效提高光生電子空穴分離效率和傳輸速度，提升由其制備的光探測器的響應(yīng)度，具有工藝簡單，低功耗等優(yōu)點(diǎn)，還可以應(yīng)用于柔性整流二極管、開關(guān)二極管、太陽能電池等電子元件中，在柔性傳感、醫(yī)療檢測、可穿戴器件方面具有良好的應(yīng)用前景。