本發(fā)明公布了一種單晶硅太陽電池金字塔絨面上PN結(jié)雜質(zhì)濃度分布的測量方法。本發(fā)明的測量方法采用了
電化學(xué)方法結(jié)合稱重法對單晶硅太陽電池絨面上PN結(jié)的雜質(zhì)濃度分布進(jìn)行測量和計算。室溫下通過電化學(xué)方法生長氧化層、HF酸腐蝕的重復(fù)過程,結(jié)合每次薄層電阻變化,以及差重計算每次氧化腐蝕深度,經(jīng)過系列計算將每次薄層電阻換算成雜質(zhì)濃度,從而獲得擴(kuò)散層縱向雜質(zhì)分布的真實情況,得到雜質(zhì)濃度分布曲線。本發(fā)明的測量是評價擴(kuò)散層質(zhì)量和選擇控制擴(kuò)散條件必不可少的依據(jù),對于優(yōu)化和控制擴(kuò)散工藝,提高太陽電池效率具有重大意義。
聲明:
“單晶硅太陽電池絨面上PN結(jié)雜質(zhì)濃度分布的測量方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)