本發(fā)明公開(kāi)了一種CdZnTe平面探測(cè)器表面處理方法,用于解決現(xiàn)有平面探測(cè)器表面處理方法處理后的平面探測(cè)器能量分辨率差的技術(shù)問(wèn)題。技術(shù)方案是在CdZnTe晶片腐蝕之后,用(NH4)2S溶液對(duì)CdZnTe晶片表面進(jìn)行鈍化,鈍化后用去離子水清洗,最后用真空蒸鍍機(jī)將晶片兩面鍍上Au電極。此鈍化方法去除了富Te層,形成CdS層沉積在晶體表面,化學(xué)計(jì)量配比得到改善,減少了電子在晶體表面的散射,腐蝕后形成的懸掛鍵被中和,有效降低了CdZnTe晶片表面的漏電流,提高了能量分辨率,提升了CdZnTe平面探測(cè)器的探測(cè)效率。經(jīng)測(cè)試,CZT平面探測(cè)器的能量分辨率由之前大于6.5%提高到小于4.5%。
聲明:
“CdZnTe平面探測(cè)器表面處理方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專(zhuān)利(論文)的發(fā)明人(作者)