從某一側(cè)面看到的本發(fā)明的膜厚監(jiān)控方法如以下那樣構(gòu)成。當(dāng)使用具有反應(yīng)爐的CVD(化學(xué)水蒸氣沉積)裝置在上述反應(yīng)爐內(nèi)的基板上形成薄膜時,在上述反應(yīng)爐的外部測定來自上述反應(yīng)爐內(nèi)的輻射光,獲得上述輻射光的輻射率的變化與形成于上述基板上的薄膜的膜厚變化的關(guān)系。當(dāng)在獲得上述輻射率變化與上述膜厚變化的關(guān)系后使用上述CVD裝置在基板上形成薄膜時,測定上述輻射光的上述輻射率的變化。根據(jù)獲得的上述輻射率變化與上述膜厚變化的關(guān)系,從所測定出的上述輻射光的上述輻射率的變化,推定形成于上述反應(yīng)爐內(nèi)的基板上的上述薄膜的膜厚。
聲明:
“薄膜的膜厚監(jiān)控方法和基板溫度測定方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)