本發(fā)明涉及了一種硫化銻基可見(jiàn)光光電探測(cè)器的制備方法,屬于無(wú)機(jī)非金屬材料器件制造工藝領(lǐng)域,首先采用溶膠?凝膠法在FTO上制備一層致密的二氧化鈦薄膜;二氧化鈦薄膜經(jīng)過(guò)退火后使用熱蒸鍍沉積硫化銻(Sb
2S
3)薄膜;然后使用硫代乙酰胺對(duì)硫化銻薄膜進(jìn)行表面硫化同時(shí)進(jìn)行退火處理;最后將化學(xué)氣相沉積(CVD)法生長(zhǎng)的
石墨烯薄膜(Gr)轉(zhuǎn)移到硫化銻薄膜上,形成TiO
2/Sb
2S
3/Gr薄膜結(jié)構(gòu)的可見(jiàn)光探測(cè)器,為制作高性能的可見(jiàn)光探測(cè)器提供了新的方法。該光電探測(cè)器可以在可見(jiàn)光有很高的響應(yīng)且對(duì)不同波長(zhǎng)的可見(jiàn)光具有不同的響應(yīng)電流,同時(shí)隨入射光強(qiáng)的增加響應(yīng)電流線性增加。
聲明:
“硫化銻基光電探測(cè)器的制備方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專(zhuān)利(論文)的發(fā)明人(作者)