本說明書提供一種硅漂移探測(cè)器的制備方法,包括沉積步驟;所述沉積步驟包括:以四氟化鍺、高階
硅烷和摻雜劑硅烷作為反應(yīng)氣體,采用化學(xué)氣相沉積工藝在具有鈍化膜的硅襯底上沉積重?fù)诫s鍺薄膜,使重?fù)诫s鍺薄膜在硅襯底的對(duì)應(yīng)區(qū)域形成功能區(qū)。因?yàn)楦唠A硅烷能夠在較低溫情況下被激活而與四氟化鍺反應(yīng),所以在鍺薄膜形成過程中可以采用低溫工藝,而低溫工藝可以避免擴(kuò)散工藝和離散注入工藝中的高溫對(duì)硅襯底的損傷,有利于獲得較高的體壽命,提高硅漂移探測(cè)器的能量分辨率。
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