本發(fā)明公開(kāi)一種基于層狀鈷氧化物的低溫測(cè)溫元件,包括單晶基底、薄膜熱敏元件、金屬電極Ⅰ、金屬電極Ⅱ、金屬電極Ⅲ、金屬電極Ⅳ、導(dǎo)線Ⅰ、導(dǎo)線Ⅱ,薄膜熱敏元件在單晶基底上沿c軸外延生長(zhǎng),在薄膜熱敏元件上表面依次設(shè)置有等距排列的金屬電極Ⅰ、金屬電極Ⅱ、金屬電極Ⅲ、金屬電極Ⅳ,金屬電極Ⅰ、金屬電極Ⅳ通過(guò)導(dǎo)線Ⅰ連接恒流源輸出端,金屬電極Ⅱ、金屬電極Ⅲ通過(guò)導(dǎo)線Ⅱ連接電壓表輸入端,薄膜熱敏元件為層狀鈷氧化物薄膜;本發(fā)明測(cè)溫元件在0℃~?200℃下電阻溫度系數(shù)大,電阻溫度關(guān)系線性好,物理化學(xué)性能穩(wěn)定、成本低廉。
聲明:
“基于層狀鈷氧化物的低溫測(cè)溫元件” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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