本發(fā)明公開了一種AlN納米線日盲區(qū)探測(cè)器的制備方法,包括,S1在Si襯底上沉積5?25nm厚的Ni金屬層;S2采用等離子體輔助化學(xué)氣相沉積法制備AlN一維材料;S3在AlN一維材料上光刻出所需的叉指電極圖形;S4在叉指電極圖形蒸鍍Ti/Ni/Au電極,與AlN一維材料形成肖特基接觸,并剝離出叉指電極,得到AlN納米線探測(cè)器。本發(fā)明在制備過(guò)程中無(wú)復(fù)雜操作和其他有害副產(chǎn)物產(chǎn)生,運(yùn)用該工藝重現(xiàn)性和可控性良好,同時(shí)器件的制備加工也相對(duì)容易,推動(dòng)了紫外探測(cè)技術(shù)的發(fā)展。
聲明:
“AlN納米線日盲區(qū)探測(cè)器的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)