本發(fā)明公開了一種電容弗里希柵CdZnTe探測器的制備工藝,包括(1)CdZnTe晶體的表面處理、(2)化學(xué)腐蝕、(3)電極制備、(4)表面鈍化、(5)清洗、(6)封裝等工藝步驟。該發(fā)明提供了一種工藝簡單、實用,制備出分辨率高的電容弗里希柵CdZnTe探測器的制備工藝。
聲明:
“電容弗里希柵CdZnTe探測器的制備工藝” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)