本發(fā)明公開了一種錫摻雜氧化鉬納米薄膜及其制備方法和近紅外光電探測器,該制備方法包括采用化學(xué)氣相沉積法制備氧化鉬納米薄膜;將亞錫鹽和還原劑加入鹽酸溶液中混合制備插層溶液;再將插層溶液滴至氧化鉬納米薄膜上,在50~70℃環(huán)境下進(jìn)行插層處理。以上制備方法操作簡單,其中利用錫插層氧化鉬,可減少氧化鉬的禁帶寬度,實(shí)現(xiàn)對(duì)近紅外光子的高效吸收,所制得的錫摻雜氧化鉬納米薄膜體積大且厚度均勻,熱穩(wěn)定性好,可用于制備近紅外光電探測器。
聲明:
“錫摻雜氧化鉬納米薄膜及其制備方法和近紅外光電探測器” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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