本發(fā)明公開了熱載流子注入型單像素光電探測器件、制備方法及系統(tǒng)。所述方法包括:在襯底表面沉積金屬,并退火形成金屬納米顆粒;采用化學氣相沉積法在金屬納米顆粒表面形成二維半導體層,形成陡峭且具有清潔界面的金屬?半導體肖特基異質結;在所述半導體層上制備柵極、柵介質層、源級和漏極,得到所述熱載流子注入型單像素光電探測器件。本發(fā)明中形成了具有清潔界面的金屬?半導體肖特基異質結,在光照下,金屬納米顆粒的局域表面等離激元發(fā)生非輻射衰減產(chǎn)生熱載流子,越過金屬?半導體之間的肖特基勢壘注入半導體,實現(xiàn)熱載流子皮秒級別的超快傳輸和對入射光的超快響應;可實現(xiàn)超快響應速度、寬光譜、低成本的單像素光電成像。
聲明:
“熱載流子注入型單像素光電探測器件、制備方法及系統(tǒng)” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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