本發(fā)明公開(kāi)了一種用于室溫的超快探測(cè)氮氧化物氣體的氣敏元件的制備方法，先將p型單晶硅基片襯底清洗干凈，采用雙槽電化學(xué)腐蝕法在清洗過(guò)的單晶硅基片的拋光表面制備多孔硅，再將制得的多孔硅置于超高真空對(duì)靶磁控濺射設(shè)備的真空室，采用金屬鉑作為靶材，以氬氣作為工作氣體，在多孔硅表面沉積一對(duì)鉑電極，制成氮氧化物氣體的氣敏元件。本發(fā)明的多孔硅兼具高孔隙率和孔道有序化的優(yōu)點(diǎn)，提供了一種可在室溫工作且對(duì)ppm級(jí)氮氧化物氣體實(shí)現(xiàn)超快探測(cè)的氣敏元件的制備方法。